傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(基本半導體SiC單管，基本半導體SiC模塊，基本半導體驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向，致力于服務中國工業電源，電力電子裝備及新能源汽車產業鏈。相較傳統汽車，新能源汽車在電驅動單元、電氣設備的數量上都有較大的增加，內部動力電流及信息電流錯綜復雜，特別是高電流、高電壓的電驅動系統對連接器的可靠性、體積和電氣性能提出更高的要求，這意味著新能源汽車對連接器產品需求量及質量要求都將大幅提升。在新能源汽車中，高壓連接器是極其重要的元部件，整車、充電設施上均有應用。整車上高壓連接器主要應用場景有：DC、水暖PTC充電機、風暖PTC、直流充電口、動力電機、高壓線束、維修開關、逆變器、動力電池、高壓箱、電動空調、交流充電口等。在電動汽車中，碳化硅功率器件的應用主要為兩個方向，一個用于電機驅動逆變器（電機控制器），另一個用于車載電源系統，主要包括：電源轉換系統（車載DC/DC）、車載充電系統（OBC）、車載空調系統（PTC和空壓機）等方面。碳中和、智能化引領人類社會進入生態文明發展時代，科技創新為能源、交通、信息產業打造最強的發展動能。科技創新融合數字技術和電力電子技術，為新型電力系統能源基礎設施、新型電動出行能源基礎設施、新型數字產業能源基礎設施等‘三新能源基礎設施’，引領產業高質量發展。”雙碳目標不僅僅是技術變革，更是一場廣泛而深刻的社會變革，傾佳電子（Changer Tech）堅持在技術和產品方面持續創新，為智能光風儲發電機提供高品質SiC碳化硅功率器件及驅動IC，堅定不移地與客戶，解決方案伙伴，產業伙伴一起，攜手構建數字能源產業生態。傾佳電子（Changer Tech）將與產業界共同擁抱數字化、智能化，主動安全構網，攜手邁入光風儲發電機新時代，加速光儲成為主力能源！
傾佳電子（Changer Tech）致力于基本半導體國產碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應用中全面取代IGBT，全力推動基本半導體國產碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
汽車連接器廣泛應用于汽車的各個子系統中。汽車連接器可以分為傳輸電流的低壓/高壓連接器和傳輸數據信號的高頻高速連接器。汽車電動化、 智能化、網聯化趨勢下，汽車電子應用將從中高端車型向低端車型滲透，在整車制 造成本中的占比不斷提高，對汽車連接器的需求也與日俱增。汽車連接器作為各個 電子系統連接的信號樞紐，廣泛應用于動力系統、車身系統、信息控制系統、安全系統、車載設備等方面。800V高壓平臺對電動車內部高壓連接器的數量和質量提出更高要求，同時也促使充電槍向大功率、液冷方向發展。 整車廠加速快充布局，國內外企業紛紛跟進800V高壓平臺。近兩年高壓快充路 線受到越來越多主機廠的青睞，高壓連接器在電動汽車中扮演連接高壓系統單元并傳遞能量的關鍵角色。高頻高速連接器覆蓋了從最基礎的車身控制、定位系統，到4K攝像頭、高清視頻、 信息娛樂，再到輔助駕駛、智能駕駛等眾多應用場景。
脫碳已經成為業界的趨勢，在我國雙碳政策下，也即“碳達峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏發電逐漸成為矚目的焦點，在低碳化、電氣化、數字化、智能化的趨勢下，未來能源世界和數字世界將深度融合發展，能源產業已經進入到數字能源新時代。新型能源體系：全球能源低碳轉型按下加速鍵，預計到2030年，全球將發展三倍可再生能源，光伏安裝量每年將超過550GW。隨著光伏發電效率不斷提升，“光儲平價”時代即將帶來，光伏+儲能將成為最經濟、最普適的電源，以新能源為主體的新型能源體系正加速構建。
新型交通體系：電動化加速，交通能源融合，電氣化新型交通體系正在快速形成。以基本半導體碳化硅和氮化鎵為代表的第三代功率半導體技術已經成熟，電動汽車全面走向高壓化。1秒1公里、5分鐘充電200公里、加油式的充電體驗已經成為現實。預計未來十年，電動汽車保有量將增長10倍，從而推動充電量、充電樁的需求快速大幅增長。
創新智能世界：人工智能技術爆炸式發展，算力進一步加速增長。以ChatGPT、Sora為先進代表的人工智能正在向各行各業加速滲透，驅動生產力跨越式發展。AI正重塑千行百業，并將給包括能源產業在內的各個產業帶來革命性變化。
能源基礎設施建設將迎來巨變，數字技術與人工智能技術的融合，數字技術與電力電子技術的融合，源網荷儲的融合，傾佳電子（Changer Tech）持續提供高品質功率半導體新能源汽車連接器，在新能源汽車電控，充電樁，汽車OBC，新能源發電，工商業儲能變流器，電動汽車電機主驅，光伏逆變器，儲能變流器PCS，工業電源等領域與客戶深入合作，傾佳電子（Changer Tech持續服務客戶的供應鏈及新產品開發，在數字化與智能化的推動下，新興的能源系統將不斷涌現，新能源的商業模式也將實現閉環，全力支持中國新能源汽車及電力電子工業發展！Changer Tech continues to serve customers' supply chains and new product development. Driven by digitalization and intelligence, emerging energy systems will continue to emerge, and new energy business models will also achieve closed loops, fully supporting new energy vehicles. and the development of the power electronics industry!
在全球碳中和目標的持續推進下，光儲產業迎來了空前的發展機遇。組件、儲能、構網、數字化等單點技術創新正走向融合創新，將加速構建以光風儲等新能源為主體的新型電力系統。傾佳電子（Changer Tech）致力于聚焦Bit（數字技術）、Watt（電力電子技術）、Heat（熱管理技術）和Battery（儲能管理技術）等4T技術，為智能光風儲發電機提供基本半導體SiC碳化硅功率器件及基本半導體驅動IC，持續為客戶和產業創造價值。
近年來，傾佳電子（Changer Tech）-著力推廣基本半導體國產碳化硅SiC功率器件，基本半導體國產SiC-MOSFET，基本半導體國產SiC-MOSFET功率模塊，國產氮化鎵GaN HEMT以及配套的基本半導體隔離驅動IC，自舉驅動IC,不斷在高壓汽車電驅系統、高壓快充樁、消費電子適配器，數據中心、通訊基站電源、新型電力系統等領域拓展市場。除了車載應用，SiC碳化硅的替代IGBT方案開始在工業的UPS系統（不間斷電源）、軌道交通等領域推出。傾佳電子（Changer Tech）-專業功率半導體(IGBT單管，IGBT模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN)以及新能源汽車連接器分銷的元器件在電力電子領域，在功率器件方面發揮重要作用。更小的元胞尺寸、更低的比導通阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是碳化硅MOSFET技術的主要發展趨勢，體現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高結溫特性、高頻特性要求，也對現有封裝技術提出更高的要求。由于碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN在導通損耗和開關損耗方面的出色性能，可以大大降低電力電子方面應用的能耗。傾佳電子（Changer Tech）專注于人類未來發展的領域，包括出行和可再生能源。傾佳電子（Changer Tech）聚焦新能源汽車市場，新能源汽車是最大的增長領域（傾佳提供電動汽車高壓連接器及線束，電動汽車主驅用SiC碳化硅及IGBT功率模塊），以及汽車電子智能系統（傾佳提供車規級互聯產品，包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器）。傾佳電子（Changer Tech）同時聚焦工業市場的能源基礎設施，尤其是充電站和充電基礎設施，包括能源產生、存儲以及能源的分配（傾佳提供功率器件SiC碳化硅分立器件及功率模塊，大功率連接器，隔離驅動IC等）。
能源產業迎來增長與變革“發電-轉發-儲能-配電-用電-管管理”全鏈路智能化；源網荷儲協同，電網、站點供電系統、負載之間，打破信息孤島，實現“源網荷儲”智能協同，能量流和信息流雙向交互；儲能技術多元化，通信儲能在材料、應用場景、管理技術等維度上，朝著多元化方向演進。
隨著汽車越來越智能化，對于連接器在未來的智能汽車上，絕不會僅僅作為一個電連接點進行傳輸，這個和傳統汽車會有非常本質上的區別， 未來的連接器有可能會變成模塊化，其功能會隨著不同的汽車部位應用場景，功能也會有所不同；同時智能駕駛的出現會讓連接對于傳輸的穩定性變成強制條件，對于電性能的可靠性，以及其他性能都會提到更高一個要求等級；傾佳電子（Changer Tech）-專業代理的汽車智能互聯連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，基本半導體碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN引導電源技術轉向新的高功率密度和效率、高耐熱性能的解決方案，以減少導通損耗和碳排放。在整個能源轉換鏈中，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN的節能潛力可為實現長期的業界節能目標作出貢獻。基本半導體碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在很多電力電子應用場景中為能效提升作出貢獻。
對于通用應用，基本半導體SiC 功率器件可以替代 Si IGBT，從而將開關損耗降低高達 70% 至 80%，具體取決于轉換器和電壓和電流水平。IGBT 相關的較高損耗可能成為一個重要的考慮因素。熱管理會增加使用 IGBT 的成本，而其較慢的開關速度會增加電容器和電感器等無源元件的成本。從整體系統成本來看SiC MOSFET加速替代IGBT已經成為各類新的電力電子設計中的主流趨勢。基本半導體SiC MOSFET 更耐熱失控。碳化硅導熱性更強，可實現更好的設備級散熱和穩定的工作溫度。
Si IGBT 的一個顯著缺點是它們極易受到熱失控的影響。當器件溫度不受控制地升高時，就會發生熱失控，導致器件發生故障并最終失效。在高電流、高電壓和高工作條件很常見的電機驅動應用中，例如電動汽車或制造業，熱失控可能是一個重大的設計風險。基本半導體SiC MOSFET 更適合溫度較高的環境條件空間，例如汽車和工業應用。此外，鑒于其導熱性，基本半導體SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統的需求，從而有可能減小整體系統尺寸并降低系統成本。由于 基本半導體SiC MOSFET 的工作開關頻率比 Si IGBT 高得多，因此它們非常適合需要精確電機控制的應用。高開關頻率在自動化制造中至關重要，其中高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。
基本半導體SiC 功率器件的卓越材料特性使這些器件能夠以更快的開關速度、更低的開關損耗和更薄的有源區運行，從而實現效率更高、開關頻率更高、更節省空間的設計。因此，基本半導體SiC MOSFET 正成為電源轉換應用中優于傳統硅（IGBT,MOSFET）的首選。