2007年入選中科院“百人計劃”，2009年獲“國家杰出青年基金”。2001年畢業于中國科學院半導體研究所，獲得理學博士學位。2001年至2004年，在美國伯克利勞倫斯國家實驗室做博士后；2004年至2007年，美國再生能源國家實驗室助理研究員；2007年5月，入選中國科學院“百人計劃”，同時進入半導體超晶格國家重點實驗室工作，從事半導體摻雜機制和納米材料的研究。 

　　取得的重要科研成果及所獲獎勵： 

　　在半導體摻雜機制和納米材料等前沿領域中取得的一系列創新性研究成果：(1)發表了一百余篇論文（其中“Nature”一篇，“Nature Material”一篇，“PRL”六篇，“Nano Letters”四篇，“JACS”二篇，“APL”十八篇，“PRB/JPCC”三十六篇），對半導體光電材料與器件的設計有重要的指導作用。(2)首次從理論上研究了形狀對納米團簇電子態的影響，并且對相關的實驗進行了解釋。(3)與合作者提出了Charge Patching方法，實現了上萬原子的第一性原理精度計算，該方法特別適用于大原胞的半導體合金和納米團簇的大規模計算。(4)對半導體摻雜機制有深入的研究，提出GaN和ZnO等實現p-型摻雜的實驗模型，并用第一性原理進行計算，獲得國際同行的廣泛關注。(5)首次研究了量子點中雜質的穩定性, 預言在硅摻雜的GaAs量子點中，如量子點的尺寸小于14納米，將出現DX深能級中心。(6)首次預言了CdS量子點比CdSe量子點更容易觀察到“暗激子現象”，該預言被美國P.F.Barbara教授的實驗小組所證實。論文已經被國際同行高度評價和大量引用，至今已被引用兩千余次。2008年9月2日《科技日報》第十版以《李京波：半導體照明學科帶頭人》為題報道了其最新研究進展。2009年3月17日《自然》（亞洲材料）報道了其研究小組在光催化材料研究中取得的重要進展。2009年獲國家杰出青年基金（信息學部）。2011年獲浙江省“千人計劃”榮譽稱號，2012年中科院“百人計劃”終期評估，獲評“優秀”。