摘要：文章研究半導體激光器的特性及激光加工應用，進一步的研究了通快公司Tru Diode系統激光器的特性，并通過Tru Diode4006激光器進行激光釬焊工藝試驗，研究ALO3激光頭不同參數下實際光斑大小，同時研究不同焊接速度、不同熱絲電流、不同裝配間隙下的焊縫成型規律。

關鍵詞：半導體激光器；Tru Diode4006；激光釬焊；標準；工藝研究

1、半導體激光器的特性

半導體激光器也稱為半導體激光二極管，或簡稱激光二極管(LaserDiode，縮寫LD)。由于半導體材料本身物質結構的特異性以及半導體材料中電子運動規律的特殊性，使半導體激光器的工作特性有其特殊性。

半導體激光器采用注入電流方式泵浦。根據生成pn結所用材料和結構的不同，半導體激光器有同質結、異質結(單、雙)、量子阱等多種類型。量子阱半導體激光器技術的成熟，半導體激光器的特性大大提高，具有闌值電流低易于進行高速電流調制，輸出功率高，頻率響應好，光譜線窄和溫度穩定性好和較高的電光轉換效率(50%以上)等許多優點。半導體激光器是成熟較早、進展較快的一類激光器，由于它的波長范圍寬，制作簡單、成本低、易于大量生產，并且由于體積小、重量輕、壽命長(一般可達數十萬乃至百萬小時以上)，因此，品種發展快，應用范圍廣。

半導體激光器以半導體材料為工作物質。常用的半導體材料主要有三類：(1)ⅢA—ⅤA 族化合物半導體，如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等。(2)ⅡB —ⅥA族化合物半導體，如硫化鎘(CdS)等。(3)ⅣA—ⅥA族化合物半導體，如碲錫鉛(PbSnTe)等。