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深度解讀
長光所在II族氧化物光電材料與器件研究獲進展
星之球科技 來源:中國科技網2016-01-25
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以氧化鋅為代表的II氧化物為寬禁帶半導體,其激子結合能大,有望實現低閾值紫外半導體激光器,從而在保密通訊、精密加工等領域有廣泛的潛在應用,因而成為近年來國際半...
中科院長春光機所申德振團隊在II族氧化物激光材料與器件研究中取得進展――實現了國際上第一個激子型電致發光器件、第一個氧化鋅基雪崩探測器,以及II族氧化物超低閾值激光和電泵浦隨機激等創新性結果。該項研究成果獲得了2015年度吉林省自然科學一等獎。
以氧化鋅為代表的II氧化物為寬禁帶半導體,其激子結合能大,有望實現低閾值紫外半導體激光器,從而在保密通訊、精密加工等領域有廣泛的潛在應用,因而成為近年來國際半導體領域的前沿和熱點。但是大部分報道都是基于光激發的結果,而更有前景的電泵浦受激發射實現面臨艱巨挑戰,加上受主摻雜劑形成能高、離化能大、補償嚴重等一系列問題,II族氧化物雜質調控及其光電器件被認為是一項國際性難題。
申德振研究員帶領科研團隊在II族氧化物光電材料與器件方面進行了十余年潛心研究,從材料生長、物性調控、器件設計等方面提出了諸多創新性方法,發現了若干實現II族氧化物激光的新機制和新規律,提出了包括介電層調控載流子輸運、將碰撞離化產生空穴與電子復合發光等新思路和新方法,解決了該類材料發展和器件應用面臨的系列核心難題,實現了國際上第一個激子型電致發光器件、第一個氧化鋅基雪崩探測器,以及II族氧化物超低閾值激光和電泵浦隨機激等創新性結果。在該領域發表SCI學術論文400余篇,并多次被Nature等國際頂級期刊引用和評述。
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