多年來，激光二極管的短波長極限，已經從可見光譜的紅光端移動到了近紫外波段。然而許多應用，例如用于化學和生物化學傳感、表面分析和醫學用途的拉曼光譜，可以受益于深紫外發射激光二極管的發展，這類激光二極管可以用電池供電，用于便攜式儀器中。
激光二極管可以倍頻和四倍頻，以產生短于193nm波長的窄帶輸出深紫外光。雖然這些激光器比其他類型的深紫外光源（如準分子激光器）更緊湊且用戶友好，但是它們仍然不像常規激光二極管那么小巧、簡單和低功耗。
最近，加拿大麥吉爾大學的研究人員制造出了一種氮化鋁鎵（AlGaN）激光二極管，其能夠輸出波長239nm的深紫外光，在室溫下運行，并且為電泵浦。此外，該原型具有約0.35mA的非常低的閾值電流。
反向錐形納米線
模擬研究表明，隨機分布的AlGaN納米線可以強烈約束在240nm光譜區域的深紫外光子。研究人員確定了反向錐形納米線結構，以使通過下面的硅（Si）襯底的損耗最小。
在制造工藝中，納米線自發地形成在Si襯底上，并且每個具有由n-GaN接觸層、n-AlGaN覆層、AlGaN有源區、p-AlGaN覆層和p-GaN接觸層組成的結構（如圖1所示）。研究人員介紹說，由納米線的隨機排列引起的光子重復散射導致干涉，并因此導致強的光局域化。
圖1：電注入AlGaN激光器由反向錐形納米線的隨機排列組成，如圖中所示。
AlGaN納米線的平均填充因子為0.55。由于納米線的不均勻性和制造的不完善，實際電流注入和激光運行僅在其中約50%中發生。單根納米線的計算腔體積和載流子復合體積分別為0.627μm3和0.165μm3。
首先，使用193nm波長的激發源進行室溫光致發光（PL）研究。所得到的PL光譜在246nm處具有20nm帶寬的發射峰，表明高達70%的Al組成和良好的Al均勻性。大約位于210nm處的第二個峰，表明AlN殼形成在AlGaN納米線側壁上，這有助于抑制非輻射表面復合。
接下來，通過光刻和金屬化方法來制造電注入的激光二極管。研究人員測量了低于和高于激光閾值的室溫電致發光光譜。在閾值下工作，產生寬發射光譜。當電流達到0.35mA閾值時，239nm激光線開始出現。在閾值處，線寬約為0.9nm，但隨著電流逐漸升高到約1.4mA，線寬逐漸升高到約1.4nm。
研究人員先前已經展示了在262nm和289nm發射的電注入AlGaN納米線深紫外激光器。這些激光器具有高得多的組成調控，形成量子點狀結構，產生僅僅幾十微安的非常低的閾值電流。但是因為高組成調控抑制較短波長的激光發射，研究人員不得不提高組成均勻性，以在239nm產生激光發射。較高的均勻性導致量子點狀性質消失，并將閾值電流提高到0.35mA。但是239nm的閾值電流仍然相當低，這將有助于實現基于激光的、電池供電的深紫外儀器。
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