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    企業新聞

    EUV或將決定半導體產業方向,通快加緊布局

    星之球科技 來源:TRUMPF2017-10-09 我要評論(0 )   

    近日,TRUMPF公司CTO及股東Peter Leibinger在談到令人著迷的激光創新時重點提及極紫外光刻,也就是我們常說的EUV。他認為,EUV令人著迷的原因是其極富挑戰性及對世界的...

    近日,TRUMPF公司CTO及股東Peter Leibinger在談到令人著迷的激光創新時重點提及極紫外光刻,也就是我們常說的EUV。他認為,EUV令人著迷的原因是其極富挑戰性及對世界的重要影響。
    Peter Leibinger
     
    “如果我們無法實現EUV突破,摩爾定律將失效” Peter Leibinger表示:“其影響范圍不僅僅是芯片行業,智能手機產業乃至整個電子裝備產業都將改變運作方式。”

    什么是EUV?
     
    極紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography),常稱作EUV光刻,它以波長為10^-14nm的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為采用波長為13.4nm 的軟x 射線。
    在半導體芯片及集成電路制造領域,目前主要采用193nm浸沒光刻技術對晶片上的精細特征進行圖案化。但是,193nm浸沒式光刻在80nm間距(40nm半間距)下達到極限。為此,從22nm / 20nm開始,芯片制造商開始使用193nm浸沒光刻以及各種多種圖案化技術。為了減小超過40nm的間距,多個圖案化涉及在晶圓廠中使用幾個光刻,蝕刻和沉積步驟的過程。
     
    隨之而來的就是制程成本及周期時間的增長。為了解決這些問題,芯片廠商開始將目光轉向EUV光刻。
     
    相對于193nm浸沒式光刻,EUV光刻可以提供更高的k1,在提供高分辨率的同時擁有較大的工藝窗口,從而減少光刻工藝復雜性。
     
    正式基于這些優勢,EUV吸引了芯片制造廠商及設備廠商的廣泛關注。三星公司表示,接下來的7nm工藝將采用EUV光刻。在英特爾方面,雖然還沒有明確EUV光刻導入時間,但是也將其作為未來重要制程技術之一。
     
    在產生極紫外光的各種光刻工具里,激光器發揮重要作用。為此,TRUMPF公司在EUV領域重點投入。
     
    與ASML公司建立合作關系
     
    2015年ASML向TRUMPF公司訂購了15臺EUV光刻工具,而ASML則是全球EUV光刻領域領導者。TRUMPF公司也表示將積極布局極紫外激光器。
     
    此外,TRUMPF公司也投資7000萬歐元在德國迪琴根建設一座占地34000平方米的工廠,主要用于生產極紫外光刻所需要的激光器產品。對于接下來即將出現的EUV訂單,TRUMPF公司充滿信心。
    而ASML公司也預計其客戶將在2018至2019年后,開始將EUV光刻技術使用在芯片量產上。因此,在2020年前,第一批搭載以EUV光刻技術生產的芯片的電子裝備將上市。實際上,ASML公司接到的未出貨訂單已經高達21臺。
     
    另外,在柔性平板顯示屏制造中紫外激光器應用需求也將進一步增加,這些都是TRUMPF公司對于EUV重點投資的原因。

    收購Access Laser公司完善布局
     
    近日,通快公司宣布收購Access Laser公司85%股份。Access Laser公司主要生產高精密低功率CO2激光器用于極紫外光刻(EUV),這也是通快公司主要的投資方向之一。作為光源,該CO2激光器和通快激光放大器共同部署于EUV系統。通快公司表示,通過此次收購將整合EUV技術供應鏈領域關鍵成員。
     
    通快公司CTO及股東Peter Leibinger表示:“Access Laser是我們EUV業務的核心伙伴,一家富有創新力的激光企業。此次收購之后,兩家公司將更加緊密地合作以推進EUV技術發展,服務更多的應用及客戶。”
     
    經過多年的持續發展,EUV技術工藝逐漸成熟,這為公司銷售帶來很大促進作用。Access Laser創始人及董事長張永方表示:“Access Laser一直富有創新精神。此次在EUV技術領域的合作,成功展現了Access Laser和TRUMPF兩家公司的協作關系。”
     
    成立于1999年,Access Laser在美國和中國擁有超過60名員工。其產品包括輸出功率在10mW到50W之間,峰值功率高達1KW的精密激光器,應用于醫學、電子及科研領域。此次收購價格,暫未對外公布。

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    EUV極紫外光刻半導體產業
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