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    半導體所授權專利榮獲第二十屆中國專利金獎

    rongpuiwing 來源:中科院半導體所2018-12-26 我要評論(0 )   

    12月25日,第二十屆中國專利獎頒獎大會在北京隆重召開,半導體研究所鄭婉華課題組授權專利“低發散角近衍射極限輸出啁啾光子晶體

    12月25日,第二十屆中國專利獎頒獎大會在北京隆重召開,半導體研究所鄭婉華課題組授權專利“低發散角近衍射極限輸出啁啾光子晶體邊發射激光器陣列”榮獲第二十屆中國專利金獎,這是我所首次榮獲中國專利金獎。


    “低發散角近衍射極限輸出啁啾光子晶體邊發射激光器陣列”專利是基于半導體光子晶體激光芯片,通過在傳統半導體激光外延中引入垂直方向和水平方向的啁啾光子晶體結構,在保證激光高輸出效率的同時,有效解決了傳統半導體激光芯片發散角大,亮度低等共性問題,該發明與傳統光電子芯片制備技術相兼容,適合于廣泛推廣。獲獎專利技術采用人工微結構功能材料,屬未來高端半導體激光芯片發展的新方向,為我國突破高端激光芯片壁壘提供了自主制造新方案。


      據悉,"中國專利獎"由國家知識產權局于1989年設立,每年評選一次,是中國唯一的專門對授予專利權的發明創造給予獎勵的政府部門獎,得到聯合國世界知識產權組織(WIPO)的認可,在國際上有一定的影響。第二十屆中國專利獎共評選出中國專利金獎30項,中國外觀設計金獎10項,中國專利銀獎60項,中國外觀設計銀獎15項,中國專利優秀獎預獲獎項目698項,中國外觀設計優秀獎預獲獎項目61項。


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    半導體專利金獎
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