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    國產5nm激光光刻取得重大進展,專家:打破西方封鎖

    來源:新小神兵2020-07-11 我要評論(0 )   

    從美方對華為的打壓來看,落后就要挨打這句話又在今天得以驗證。雖然目前東方大國在經濟,科技以及工業方面都有著顯著提升,正在向強國邁進。不過由于各方面和超級大國...

    從美方對華為的打壓來看,落后就要挨打這句話又在今天得以驗證。雖然目前東方大國在經濟,科技以及工業方面都有著顯著提升,正在向強國邁進。不過由于各方面和超級大國美方還有著一些差距,因此,在核心技術以及核心產業方面,我方都沒有足夠的話語權,一旦遭遇競爭的風口浪尖,難免就會受制于人。

    就比如說華為,其通信設備以及5g網絡方面的技術都已經做到世界領先,并且能夠獨自設計性能先進的芯片,按理說華為已經做到了很強的地步。但是在芯片制造方面,不僅僅是華為,整個東方大國都還落后于西方,因此,在芯片制造上不得不被美方卡住脖子。就比如位于芯片制造核心地位的光刻機,由于技術掌握在人家的手里,這就足以讓華為感到無可奈何。目前臺積電主要的光刻機進口都要依靠荷蘭asml,而高端光刻機,其光源系統的來源就是美方。

    不過就在大家為華為的未來感到擔憂的時候,中科院卻發出了令人振奮的消息。據有關媒體報道,中科院蘇州所已經發表了關于新型5納米級高精度激光光刻加工方法,這項技術誕生于蘇州納米技術與納米仿生研究所。這標志著國產五納米激光光刻取得重大進展,專家也表示,這完全可能打破西方封鎖,這次中科院又立功了。目前國內半導體產業還無法擺脫對asml光刻機的依賴,如果在這項技術上面取得突破,那么東方大國將用實力打破asml光刻機的壟斷。

    據了解,負責研發這項納米激光光刻技術的張子旸團隊已經開發了一種新型的三層堆疊薄膜結構,再通過雙激光束交疊,對能量密度及其波長進行精確控制,在線寬上面能夠將寬度精確到五納米。而目前asml的光刻技術是基于euv極紫外光刻,這是和asml完全不同的一種新的技術路線。

    不過這項技術僅僅是在實驗階段得到了一個突破而已,從實驗到真正的應用,并且實現量產并不是一個簡單的過程。目前asml光刻機仍然是占據壟斷地位,也是美方利用自身影響力遏制我方企業的一大利器。但是上述技術的突破已經證明此項研究是可行的,我方完全可以利用此項技術作為讓美方開放光刻機的籌碼,如此就可以大大減輕華為所面臨的壓力。


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    激光激光技術光刻機
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