科技創新再傳喜訊。7月17日，記者從電科裝備45所了解到，由其牽頭承擔的激光隱形劃切設備及工藝開發項目近日順利通過北京市科委驗收。專家一致認為，電科裝備45所研發的激光隱形劃切設備突破了激光劃切實時測高及動態焦點跟隨、運動軌跡控制、分層隱形劃切等關鍵技術，掌握了碳化硅(SiC)晶圓隱形劃切工藝，滿足碳化硅晶圓切割需求，并且有望帶動國產激光器等核心器件的自主可控發展。

　　SiC材料具有高頻率、高功率、耐高溫、化學穩定性好等優點，是第三代半導體的優秀代表。目前常使用砂輪劃切和激光表面燒蝕劃切，前者效率低且劃切槽較寬，造成嚴重的材料浪費和刀具磨損；后者由于熱影響和熔渣影響器件性能，無法滿足工藝需求。

經過不斷地創新，電科裝備45所研發的激光隱形劃切工藝將激光聚焦在材料內部形成改質層，然后通過裂片或擴膜的方式分離晶粒，使得晶圓表面無劃痕、無粉塵污染，幾乎無材料損耗，加工效率高，劃切完后無需清洗，適合于材料昂貴、抗污染能力差的器件生產。該工藝可以廣泛用于碳化硅、藍寶石、石英、鈮酸鋰等晶圓劃片領域。

　　據介紹，激光隱形劃切設備滿足了碳化硅晶圓切割的需求，性能指標達到同類產品國際先進水平。項目開發中，研發團隊還與國內激光器廠家合作開發了適合碳化硅晶圓劃切的皮秒激光器，同步提升了國產超快激光器制造技術。

　　激光隱形劃切設備的成功研發，極大增強了國內半導體裝備業的整機制造和工藝研發能力，提升了器件生產企業的核心競爭力。此外，電科裝備45所還建立了適用于激光隱形劃切設備研制的技術平臺、裝配平臺和檢測平臺，未來能夠有力推動其他激光劃片設備的技術提升及產業化進程。

　　科技成果轉化是加速創新驅動發展的重要引擎。下一步，將加速激光隱形劃切設備進入碳化硅器件產線驗證，全面考核和提升設備性能，積極探索設備在鈮酸鋰晶體、鉭酸鋰晶體、石英晶體等方面的應用。

（文章來源：北京商報）