現在當今世界，5nm芯片生產工藝可以說是最尖端的科技，國內現在最先進的中芯國際公司也才剛剛突破N+1生產工藝，能夠實現大概7納米生產工藝水平。近日中科院表示張子旸團隊光刻方面取得研究進展，在5nm光刻工藝上研發出來一種新型的5nm芯片的加工方法。當前在5納米芯片加工生產中，主流生產技術是光刻技術和極紫光光刻技術兩種，而張子旸團隊的5nm工藝則是在無掩模光刻技術上的一項研究。傳統中的無掩模光刻技術的成本非常低，但是激光的精度卻難以掌控，這也是這項技術難以量產應用的原因。

而這次，張子旸團隊進行研究的就是無掩膜光刻技術，這次研究通過雙激光束交疊技術達到了5納米的光刻精度，能夠實現5納米芯片的生產。這樣的技術不僅讓無掩模光刻機光刻精度大大提升，達到了生產5nm芯片的要求，而且生產效率也有所提高。據中國微米納米技術學會報道，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所張子旸研究員，與國家納米科學中心劉前研究員合作，在其發表的論文講述了該團隊開發的新型 5 nm 超高精度激光光刻加工方法。

當然，這個還是一個實驗室的技術，想成功應用到生產當中去，可能還需要不短的路要走，但是畢竟5nm光刻新技術已經實現突破，接下來只要在設備制造和生產商再次獲得突破，那么未來可能5nm直刻技術就能夠很好的應用到生產中去。而且現在張子旸團隊在5納米芯片生產研發獲得突破，采用的設備應該全部是自研設備，如果未來這項技術能夠獲得量產的話，那么我國芯片制造產業可能將會實現飛躍發展。甚至未來有可能一改世界芯片制造設備生產的格局，可能讓ASML就會難受。

從現在來看，國內在芯片制造領域內也在做兩方面的準備和研究。一個是激光直刻技術，一個就是在研發更先進的EUV光刻機。如果這兩個芯片光刻方面的頂尖設備和頂尖生產技術，科研院所以及企業能夠獲得更快的突破，那么未來我國生產5納米芯片，甚至是更先進的3納米，2納米的芯片都將成為可能，那么未來我國的芯片產業發展將會發展的更好。