高功率二極管激光器可能是將電能用于材料加工（如焊接、切割、焊接或其他高功率應用）的最有效方法。

圖1低功率和中功率GaN激光二極管的應用:近眼投影，舞臺照明，前燈和投影。右圖:TO包裝中的藍色激光器(來源:Osram)

高功率二極管激光器可能是將電能用于材料加工（如焊接、切割、焊接或其他高功率應用）的最有效方法。雖然紅外激光器是50多年前發明的，在工業上已經使用了20多年，但GaN高功率激光器直到最近才被用于材料加工，尤其是銅的焊接和釬焊。盡管在后一種應用中，藍色波長比紅外波長具有獨特且無可爭議的優勢，但仍有一些困難需要克服。本文概述了GaN激光器的發展步驟，從其商業化初期作為藍光播放器中的1兆瓦光源，到今天的1.5千瓦系統。此外，還將解釋達到40%功率效率的重要調查，以及達到65 khr或更長壽命的考慮因素。還根據與紅外激光二極管的比較，對未來的發展進行了預測。

上世紀70年代，二極管激光器首次在紅外光譜范圍內廣泛應用于CD播放器。類似地，30年后，GaN激光二極管首次廣泛應用于405 nm藍光播放器。這些應用要求地面模式下的輸出功率低，光束質量好。此外，在低輸出功率范圍內，AR、VR的近眼應用中，MR設備需要用于紅光、綠光和藍光的單模式激光器。這些激光模具通常相當小。

用于單模發射的激光芯片如圖2所示。它包含GaN襯底、包含發光量子阱層（<10 m厚）的外延層、波導層、電流分布層和金屬觸點。芯片設計還必須支持接地模式操作，并且其結構使接地模式的增益減去損耗高于高階模式，以實現接地模式操作。

圖2中描繪了典型的LIV曲線。可以看出，對于436nm的低功率激光器，可以實現低至6mA的閾值電流。在24 mA的工作電流和4.1 V的電壓下，可以獲得10 mW的輸出功率。這相當于約10%的效率。非常低的閾值電流很重要，因為這些設備需要在非常高的脈沖頻率下工作，因此它們通常總是偏置在閾值電流附近。通過將反射鏡的HR側和AR側的反射率分別設計為99%和90%，可以達到較低的值。測距或調平應用通常需要輸出功率更高的單模激光器。高功率單模激光器的LIV曲線如圖2所示。可以看出，藍色和綠色激光二極管的閾值分別為11 mA和30 mA，在130 mA和290 mA時分別達到100 mW的輸出功率。這種更高的工作電平與更高的閾值電流直接相關，因為它是通過諧振器AR側較低的反射率增加鏡損耗而實現的。

圖2激光二極管示意圖(左)，低閾值的LI曲線(中)和大功率單模二極管的LIV曲線。

1–10 W范圍內的激光二極管通常用于紅外能量傳輸或低功率焊接應用。隨著時間的推移，用于更高輸出功率的設備和封裝得到了發展。每個光源隨時間的輸出功率如圖3所示。對于紅外激光器，在1980年左右實現了1W，并在2008年穩步增加至約100W，現在已達到每1cm激光棒1kW，或在大批量生產的商用系統中超過300W（連續波或硬脈沖）。同樣對于GaN激光二極管，有許多應用需要不同的輸出電平。這如圖3右所示。如今，一位數瓦特級別的激光器用于照明（通過泵送轉換器將激光管芯的450 nm轉換為所需顏色或白光）或舞臺和表演照明。要求功率在10 W范圍內的汽車前照燈如今通常用于高端車輛。未來的應用，如商業環境或電影院中的投影，在每個封裝約100 W的功率水平下開始變得有趣，甚至在不久的將來，切割、焊接和焊接等材料加工方法也將成為可能。對于這些應用，需要1千瓦及以上的功率水平。對于紅外激光器和激光系統，半導體芯片的開發花費了幾十年時間，但封裝技術、材料和光學元件也必須改進，以便能夠配置多千瓦系統。

圖3紅外GaAs和可見光發射GaN基半導體激光器芯片和封裝輸出功率的開發。

對于GaN來說，電源應用的開發始于2000年之后。這方面的進展比紅外技術更快，因為為紅外技術開發的許多構件也可用于450納米系統。雖然紅外激光器最初的諧振腔長度為300μm，發射器較窄，模具較小，但現在它們的諧振腔長度已達到4至6 mm，在10 mm寬的激光棒中填充系數達到70%或更高。如今的GaN激光器遠遠沒有這些設計特點。

當觀察一些材料參數時，這種差異的原因變得可以理解。表1比較了一些特性。第一個最明顯的區別是帶隙。GaAs的紅外帶隙約為1.42eV，GaN的高帶隙約為3.42eV。當人們需要不同的波長時，這種差異是不可避免的。p型摻雜的活化能、空穴遷移率、光在激光諧振腔中的吸收系數和特征溫度T0都有進一步的技術影響。

表1 GaAs和GaN材料參數的比較。

由于高活化能，只有一小部分摻入的鎂實際上起到摻雜劑的作用，導致許多鎂原子擾亂晶格并增加吸收，但不會提高載流子密度和導電率。在砷化鎵中，碳常被用作p型摻雜劑。這是100%離子化的，這意味著包含的所有碳都有助于實現高摻雜和低電阻。類似地，GaAs中的空穴遷移率大約是GaN中的兩倍，導致更低的電阻率，因此更低的電損耗，即使在GaAs中的C雜質密度低于GaN中的Mg雜質密度的情況下也是如此。

GaN基激光二極管的最佳諧振腔長度為1.2/cm，相比于高功率GaAs激光器的小于0.5/cm，因為它們的吸收更高。這些都使得描述閾值電流隨溫度變化的T0值很低。在GaAs高功率激光器中，當工作溫度越高時，閾值電流的增長速度越快、幅度越大。GaAs和GaN兩種器件的高T1值表明，斜坡效率對溫度的依賴性很小。兩者共同描述了GaN激光二極管對更高的工作溫度反應更敏感，在給定的工作電流下，輸出功率隨溫度下降得更快。

一開始就必須克服一些非常基本的問題，才能制作和操作GaN棒。由于激光棒是非常大的設備，因此必須保證基板的低缺陷密度。此外，還必須提高外延層的結晶質量。長期以來，人們認為制作激光棒是不可能的，因為GaN是一種位錯密度高于GaAs的材料。據推測，單一發射極故障將導致災難性故障，正如過去觀察到的GaAs激光棒故障一樣。由于工作電壓也取決于溫度，一根棒上一個發射極的低效運行會影響到鄰近的發射極，因此必須通過盡可能多地對單個發射極進行熱解耦來防止熱失控。所有這些都使GaN激光棒的實現成為可能。

在圖4中，顯示了相同諧振腔長度的藍色激光棒和紅外激光棒的LI、UI和WPE過工作電流曲線。在左邊的圖片時,輸出功率85 W的藍色條50歲的遠高于紅外激光(47 W),但很明顯，這只是由于更寬的帶隙，并導致4.1 V的工作電壓遠高于紅外激光條的1.5 V。這導致在50 a時，壁塞效率較低，僅為40%而不是>60%（圖4右圖）。

圖4 LI, UI和效率超過電流的藍色和紅外激光棒。

對于紅外二極管來說，過去幾年的策略是降低吸收，增加填充因子增加接觸尺寸，增加諧振器長度，并通過降低電阻率進一步降低歐姆損耗。商業應用中cw運行的高輸出功率>300W是當今最先進的技術。相比之下，氮化鎵激光器不能用長諧振腔，而器件中的光吸收很高。同樣，填充因子不能增加，因為這會導致高閾值電流。因此，必須進一步改進不同的材料參數，才能實現更多的設計機會。

目前，用于450 nm發射的GaN激光器的填充系數低于10%(以保持低閾值電流并允許有效冷卻)，諧振器長度可達1200μm，以避免吸收導致的低斜率效率。它們安裝在水冷式微通道冷卻器上，在熱滾轉前可輸出功率107w以上，峰值效率約為44%(圖5左)。如圖5所示，AlGaInN的材料組合提供了調節不同發射波長的可能性，這是波長復用的要求。

圖5 1 cm激光棒450 nm的LI和WPE曲線[6](左)，不同工作電流下不同波長的激光棒光譜[5](右)。

如今，與基于GaAs的紅外激光光源的可比系統相比，基于GaN的用于發射450 nm光的激光二極管仍然表現出較低的效率和較低的總輸出功率。此外，由于組件更昂貴，而且這種新型材料系統的產量較低，生產成本仍然高得多。然而，它們具有獨特的優勢，即一些材料吸收紅外光相當差，而對藍光或紫外光的吸收很好，如圖6所示。

圖6銅、銅、金、金的吸收光譜。

有幾家公司已經成功地將發射波長為450 nm的氮化鎵激光二極管整合到輸出功率超過1 kW的系統中。這些激光器是專為使用藍光超強吸收的重型材料加工而設計的。在一些應用中，所有的藍色和混合系統已經證明了它們比純紅外系統更好的性能。可以預見，隨著成本的穩步降低，輸出功率和效率的提高，越來越多的系統將使用GaN二極管作為它們的光源。

來源：Blue High-Power Laser Diodes–Beam Sources for Novel Applications, Photonics Views, DOI:10.1002/phvs.202000018

參考文獻：T. Hager, U. Strauss,C. Eichler et al.: Power blue and green laser diodes and their applications, Proc. SPIE 8640, 864015 (2013).