昨（19）日，微源光子（深圳）科技有限公司發生工商變更，新增華為關聯公司 深圳哈勃科技投資合伙企業 (有限合伙) 為股東，同時公司注冊資本由84.93萬元人民幣增加至90.82萬元人民幣，增幅6.93%。

Source：企查查

此前，小米關聯公司海南極目創業投資有限公司已入股該公司，持股6.48%。

企查查信息顯示，該公司成立于2018年，經營范圍包含：混合集成電路、片式元器件、光電子器件及傳感器等新型電子元器件的技術開發等。

公開資料顯示，微源光子專注于高性能激光器芯片及配套光電模組的研發、生產，核心技術擁有自主知識產權，產品技術在國內有唯一性。據智慧芽數據顯示，微源光子主要專注于激光器、窄線寬、增益芯片、光子芯片、激光雷達等技術領域。

華為、小米擴大激光雷達投資版圖！

此前，華為哈勃就投資過長光華芯、源杰半導體等激光芯片廠商。其中長光華芯已于4月1日正式登陸科創板。

實際上，早在2016年，華為就開始布局激光雷達市場，進軍汽車芯片領域。

2020年11月，T10 ICV CTO峰會上，華為首次面向行業正式發布了其車規級高性能激光雷達產品和解決方案。

小米方面，截止目前，小米系資本投資了四家公司，順為資本投資了北醒光子和圖達通；小米長江產業基金投資了力策科技，小米集團投資了禾賽科技。

隨著汽車朝著智能化的快速發展，自動駕駛概念火熱。而雷達在汽車自動駕駛中扮演著重要的角色，其中激光雷達的性能尤為突出。

激光雷達通過激光束能夠精準地探測目標的位置、速度、和方向等，在汽車上應用可高效的感知周邊三維空間的實時信息。同時，激光雷達的探測精度達到了厘米級，且工作性能受環境干擾較小，大幅提升了自動駕駛的行車安全。車載激光雷達已成車企必爭之地。

氮化鎵進入激光雷達市場

激光雷達的激光器是由專門設計的電路所驅動的，它能夠在短時間內提供大量電流。普通的驅動器是由一個與激光器串聯、充當電流開關的元件所構成。在實際的系統中，傳統的Si器件（例如MOSFET）無法實現激光驅動器的高性能輸出，其圖像獲取速度慢且較為模糊。

為了增強控制并提升相應性能，MOSFET的溝道必須足夠大，這會增加寄生電容的充電時間，從而導致開關頻率太低而不滿足應用所需。此外，散熱管理要達到良好的效果，就需要使用大體積、大重量的散熱器，這使得激光雷達發展一度受阻。

近年來，極具成本效益的第三代半導體GaN技術陸續商用化，其優越的性能可以更快地觸發激光信號，讓自動駕駛汽車看得更遠、更快速、更清晰。

與Si MOSFET器件相比，

GaN FET在LiDAR應用中具備多種優勢

（1）與具有相同額定電流的Si MOSFET器件相比，這些GaN器件的輸入電容CISS低出10倍，從而使得GaN FET的開啟速度更快；

（2）GaN FET是一種橫向器件，使用晶圓級芯片規模封裝（WLCSP）。WLCSP具有極低的電感、卓越的散熱性能、高可靠性和最小的附加成本；

（3）GaN FET芯片的尺寸比具有相同電壓和額定電流的Si MOSFET小得多，從而進一步降低了電感，并使得相鄰的激光器的相互間距可以很窄，對于多種應用來說非常有利，例如適用于多通道的LiDAR應用。