8月17日，寬帶隙化合物半導體的領導者II-VI宣布完成為東莞天域半導體科技有限公司提供150nm碳化硅（SiC）基片超過1億美元的合同。該基片將于本季度開始交付，直到2023年年底。

東莞天域半導體成立于2009年，是中國第一家最大的SiC外延晶片制造商之一。該公司與II-VI公司簽署了一份長期供應合同，并支付了預付款，以確保其150nm SiC基板產能將滿足其到2023年的需求。

當下，交通基礎設施和工業設備的電氣化正在加速以第三代或寬帶隙半導體碳化硅 (SiC) 為基礎的電力電子的市場轉型。與最先進的硅基器件相比，SiC使電力電子器件體積更小、效率更高，擁有的總系統級成本更低。另外，鑒于其廣泛的應用范圍，基于SiC的電力電子產品能夠顯著減少二氧化碳排放和能源消耗，對環境有著非常有益的影響。

此前2021年11月，天域選擇II-VI作為其主要戰略合作伙伴，為電力電子產品供應150nm SiC基片。隨著終端需求的大幅增長，天域通過這份長期、大批量的合同來確保供應變得至關重要，這份合同將會反復重申，并隨著時間的推移而持續增值。

II-VI去年曾表示，未來5年內，將SiC襯底的生產能力提高5-10倍。為了滿足亞洲市場的需求，II-VI在2021年建立了一條超過50,000平方公里的SiC基板后端加工生產線，位于中國福州的II-VI亞洲區域總部。該生產線主要進行后端SiC晶圓加工，包括化學機械拋光、邊緣研磨、清洗和檢測，生產的產品主要用于SiC導電襯底。最終，天域將受益于II-VI在美國和中國的150nm SiC全球產能。

早在今年3月8日，東莞天域的“國產碳化硅外延設備產業化應用”項目已獲得廣東省發改委正式復核通過。公告顯示，該項目總投資額為2.138億元，計劃年產2萬片碳化硅外延片。

天域和II-VI將提供高質量可靠的供應鏈和未來200nm的能力，這對支持電動汽車、可再生能源、智能電網、微電網和數據網絡電源等超級市場對SiC電力電子產品的快速增長的需求至關重要。天宇已經做好了服務中國電動汽車電力電子市場的準備，中國目前是世界上最大的電動汽車市場。