1月30日，長光華芯開工首日，一舉收獲三項國際發明專利授權通知，其中兩項來自美國專利局，一項來自日本專利局，成為長光華芯布局海外知識產權，打造科技核心競爭力的良好開端。長光華芯硬核開啟全球化新征程。

PCT 是一份擁有超過 155 個締約國的國際條約，是申請國外專利的主要途徑之一，必須經過一系列嚴格的技術新穎性、創新性和實用性審查才能完成授權，含金量極高。通過世界知識產權組織PCT體系提交的國際專利申請量是衡量全球創新活動廣泛使用的指標之一（長光華芯申請PCT國際專利12項，其中3項已獲得美國和日本授權）。

01 

一種多有源區級聯的半導體激光器

Multi-Active-Region Cascaded Semiconductor Laser 

在激光雷達芯片方面，獲美國專利局授權的“一種多有源區級聯的半導體激光器”，通過在周期性增益結構中增加更多的有源區，提高了器件的內量子效率，同時也降低了載流子的密度，從而獲得更多的增益。勢壘層連接不具有pn結特性，因此該層不會提高器件工作的開啟的電壓，同時外延生長也較隧道結更簡單。該專利為激光雷達芯片的新型結構設計，打破了國外激光雷達芯片結構專利限制。基于該專利技術，長光華芯VCSEL陣列最高效率達到60%，打破了當時最高光電轉換效率指標紀錄。

該項專利成果于2021年取得中國授權后進入美國申請專利，分別于2021年和2022年在全球光學盛會美國Photonics West世界光子學會議上做了報告。長光華芯在激光雷達芯片方面一直堅持自主創新的技術路線，圍繞激光雷達VCSEL芯片技術路線進行了多項核心專利國際保護。

 02

一種高功率半導體芯片及其制備方法

在高功率半導體激光芯片方面，獲日本專利局授權的“一種高功率半導體芯片及其制備方法”通過在波導內設置側向光柵層，提高了高階光側向模式在波導內的傳播損耗，達到了抑制高階光側向模式激射的目的；通過設置多組周期不同的光柵，抑制了由于單一光柵增益調制和折射率調制引起的強度振蕩光模式的激射，從而達到抑制側向光強度周期振蕩的作用，消除遠場雙峰，降低激光器的側向發散角，且不對低階模產生影響，提高了芯片亮度。基于該專利技術，長光華芯芯片亮度達到100 MW/cm²sr，處于國際領先水平。

 03

一種布拉格光柵外腔激光器模塊合束裝置及合束方法

Beam Combining Device and Beam Combining Method for Bragg Grating External-Cavity Laser

在光纖耦合模塊方面，獲美國專利局授權的“一種布拉格光柵外腔激光器模塊合束裝置及合束方法”，通過檢測和判斷形成閉環反饋，有效解決在外腔光柵光譜合束中因不同發光模塊光束指向性不同，鎖定波長存在偏差造成的功率損失和合束輸出光光束質量下降的問題，合束裝置結構簡單，判斷檢測快速，調整方便。