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    企業新聞

    助推半導體激光芯片國產化 瑞波光電攜225W 905nm及980nm單模芯片新品亮相深圳

    來源:瑞波光電2023-09-08 我要評論(0 )   

    9月6-8日,深圳瑞波光電子有限公司(以下簡稱瑞波光電)將攜最新大功率半導體激光芯片解決方案亮相第24屆中國國際光電博覽會(CIOE2023),誠摯邀請您蒞臨激光技術及智...

    9月6-8日,深圳瑞波光電子有限公司(以下簡稱瑞波光電)將攜最新大功率半導體激光芯片解決方案亮相第24屆中國國際光電博覽會(CIOE2023),誠摯邀請您蒞臨激光技術及智能制造展4號館4A062展位參觀、交流及業務洽談。

    第24屆中國國際光電博覽會開展在即,瑞波光電如約而至,將展示最新半導體激光芯片新品——225W 905nm脈沖發射芯片(EEL),905nm APD,500mW 980nm單模芯片及模組等。


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    5節905nm芯片功率225W:商業芯片里全球功率最高


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    基于激光雷達市場的蓬勃發展,瑞波光電為該應用領域開發了多款低溫漂905nm EEL芯片系列,包括65W/135W/165W單管芯片,以及1*8和1*16陣列芯片,同時在展會上發布國內首款可商業化的5節功率225W芯片@37A, 光功率密度達到47KW/mm2,支持常規溫漂和低溫漂,所有芯片均支持TO和SF封裝;客戶通過使用瑞波迭代的新款905nm EEL芯片,可以開發出性能更優、成本更低的新一代激光雷達。

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    瑞波5節功率225W 905nm EEL芯片PIV曲線(RB-905E-300-225-0.75-SE-G90)





    首推雪崩光電二極管器件APD



    瑞波光電也將展示雪崩光電二極管器件APD,實現了在探測產品上的零突破,本次發布的APD型號RB-APD500-905-SMD,有源區面積500 μm,響應度為56 A/W,擊穿電壓為130-190V,該器件主要用于測距領域,憑借發射和探測的齊備,可大大提升了客戶的設計彈性和便攜度。

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    瑞波光電APD增益-反向電壓曲線




    首推大功率980nm單模芯片及模塊


    目前,用于光通信和激光雷達用的大功率單模980nm激光芯片仍主要依賴進口。多年來,瑞波光電針對單模980nm激光芯片和模塊進行全方位布局研發,目前已攻克了多項核心技術,突破了芯片和模塊研制過程中IDM體系的諸多關鍵技術和工藝,實現了從芯片設計、材料外延、芯片到模塊的國產化制造。本次展會,瑞波將展示500mW級的980nm激光芯片RB-980-4-0.5-4-SE,以及蝶形封裝模組RB-980-400-M。
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    980nm單模激光芯片RB-980-4-0.5-4-SE PIV曲線


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    980nm蝶形封裝模組RB-980-400-M  PIV曲線




    測試表征設備助力行業升級



    本屆深圳光博會上,瑞波還將展出支持50A以上的大電流老化設備,新一代全自動COS測試機,以及面向紅綠藍激光 TO器件的全自動盤測機等新型測試設備。通過穩定的整機性能控制、物料優化和選型,為激光廠家提供整體智能化、高性價比的測試解決方案,滿足客戶對更大電流、更快速度測試的迫切需求。

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    關于瑞波光電



    深圳瑞波光電子有限公司是專業從事高端大功率半導體激光芯片研發和生產的國家高新技術企業,擁有半導體激光芯片外延設計、芯片制造工藝,芯片封裝、表征測試等全套核心技術,可向市場提供高性能、高可靠性大功率半導體激光芯片,封裝模塊及測試表征設備,并可提供研發咨詢服務。

    公司芯片產品形式包括:①單管芯片(single-emitter)和bar條,功率從瓦級到數百瓦級,波長覆蓋從可見光到近紅外波段(635nm—1550nm),性能達到國內領先、部分國際領先水平,替代進口高端激光芯片;②封裝產品包括C-Mount、COS(Chip on Submount)、TO/SF等;③表征測試設備種類齊全、自動化程度高,包括Bar條綜合性能測試機、Full-bar 綜合性能測試機、全自動COS綜合性能測試機、半導體激光光纖耦合模塊綜合性能測試機、大功率半導體激光芯片器件老化/壽命測試機等。

    公司產品廣泛應用于激光雷達、醫療美容、工業加工、激光顯示、科研等領域。瑞波光電的發展遠景是成為世界一流的半導體激光芯片解決方案供應商,使命是“激光創造美好生活 用芯成就無限可能”。



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    助推半導體激光芯片瑞波光電單模芯片新品
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