10月15日，

萊普科技全國總部

暨集成電路裝備研發制造基地項目

在成都高新區

成功舉行奠基儀式。

項目名片

項目總投資：

16.6億元

項目面積：

占地面積39畝，建筑面積6.5萬平米

項目規劃：

將于2023年10月開工建設，預計2025年5月前通過并聯并行竣工驗收，2026年5月全面達產。

主要建設內容：

萊普科技全國總部暨集成電路裝備研發制造基地項目（即成都萊普科技股份有限公司總部暨生產基地建設項目）包括企業全國總部、技術中心、制造中心、服務中心以及核心零部件研發及產業化基地，并將同步建設中科院半導體所成都半導體材料先進激光加工技術聯合實驗室及培訓基地、四川省全固態先進激光工程技術研究中心等項目。

企

業

說

項目的落地將有力推動我國半導體領域激光裝備和技術的進步。在集成電路制造前道工藝創新、先進激光技術應用與系統集成、核心零部件自主可控、專業人才培養等方面產生積極作用。

——萊普科技相關負責人表示

作為成都產業發展高地，成都高新區大力推進新型工業化，持續推動半導體設備材料國產化進程。

成都高新西區鳥瞰圖

今年3月，成都高新區發布了《成都高新區集成電路建圈強鏈三年攻堅計劃（2023-2025）》（征求意見稿），按照“補制造、強設計、擴封測、延鏈條”的總體思路，以模擬芯片為核心，以算力芯片、存儲芯片及功率器件為重點，構建規模大、技術強、要素全的集成電路全產業鏈，加快“中國存儲谷”建設。力爭到2025年，實現集成電路產業規模突破1700億元。