距離正式落戶江陰不到半年時間，位于霞客灣創智園的江蘇通用半導體有限公司就迎來了技術新突破——自研設備8英寸碳化硅晶錠激光剝離設備正式交付碳化硅襯底生產頭部企業廣州南砂晶圓半導體技術有限公司，并投入生產。“與傳統的線切割工藝相比，大幅降低了產品損耗，而設備售價僅僅是國外同類產品的三分之一，屬于國內首套。”董事長陶為銀介紹。

??以激光為“刀”，向內“刻”出新質生產力。通用半導體的發展歷程由一場又一場激光微納加工領域的技術升維戰串聯而成：2020年，企業研發出國內首臺半導體激光隱形切割機；2022年，成功推出國內首臺18納米及以下SDBG激光隱切設備；2023年，成功研發國內首臺8英寸全自動SiC晶錠激光剝離產線；2024年，研制成功SDTT激光隱切設備……

??“這個就是射頻芯片，切割要求是在6微米以內，相當于人類頭發絲的二十分之一。”在展廳內，陶為銀亮出了利用企業最新技術切割出的產品，并用手機放大后細細介紹，“傳統砂輪切割的‘刀’是砂輪，最薄也只能做到40微米，激光切割的‘刀’是光斑，通用可以做到0.5微米，完全可以輕松駕馭6微米以內的精度要求。”目前，江蘇通用的激光隱形切割設備已獲發明專利56件，實用新型專利226件。

??碳化硅功率器件因其獨特的性能成為大功率半導體市場的“香餑餑”。然而，由于其硬度高、脆性高，使用傳統線切工藝切割、剝離碳化硅晶錠時，效率過低、損耗過高，導致襯底產能嚴重不足，生產成本居高不下。陶為銀介紹，早在一年多前，企業就把目光投向該領域，終于在今年7月，利用自主研發的碳化硅晶錠激光剝離設備，成功剝離出厚度僅為130微米的超薄碳化硅晶圓片。

??向技術工藝高峰不斷攀登讓江蘇通用向“新”而行。“與線切一片需要2個多小時相比，我們的速度和良品率有了飛躍，極大地降低碳化硅襯底的生產成本。”但陶為銀并未止步于此，而是在設備的自動化上下功夫，碳化硅晶錠激光剝離設備實現了6英寸和8英寸晶錠的全自動分片，“晶錠上料、晶錠研磨、激光切割、晶片分離和晶片收集都由機器完成，去年我們剝離一片是30分鐘，今年是20分鐘。”

??隨著一個接一個自研新設備陸續推向市場，通用半導體到明年的訂單都已飽和。“總部搬到江陰后，占比近40%的研發人員也轉戰江陰。”陶為銀介紹，創智園內的全部產線投入生產并把設備推向市場后，預計每年可剝離碳化硅襯底2萬片。就在距離園區數百米處，一片50畝熟地已準備就緒。陶為銀透露，通用半導體將進一步加快產業化進程。（唐蕓蕓）