本報訊 （記者 郭詩夢）3月25日，記者從西安交通大學獲悉：該校電信學部副教授李強團隊研制出氮化硼深紫外光電芯片，經教育部科技查新工作站查新，為全球首款。該芯片的成功研發，對深紫外固態光源應用于殺菌消毒、紫外固化、紫外光通信等領域有重要意義。這一研究成果已在國際權威期刊《先進科學》上發表。

氮化硼是一種超寬禁帶半導體材料?；诘鸩牧系纳钭贤獍l光器件，由于材料摻雜困難，難以形成有效發光復合結構。這一直是全球重大的科學和技術難題。在此之前，全球還未有直接外延生長氮化硼的同質結深紫外發光芯片。

經過3年多的科研攻關，李強團隊在1400攝氏度的超高溫環境下，破解了材料摻雜難題。科研人員以物理加化學的方式在薄膜內摻雜其他元素，形成有效的帶電載流子，制備出完全具備自主知識產權的同質結深紫外發光芯片。其核心技術已申請國家發明專利。

該款光電芯片還實現了發射波長在300納米以下的深紫外光。太陽光中波長小于300納米的光在穿過地球大氣層時，會受到大氣臭氧層的吸收，幾乎無法抵達地球表面。過去的研究中，國內外科研人員都是基于氮化鎵和氮化鋁材料體系實現深紫外的發光芯片。

李強表示：“我們研發的氮化硼深紫外光電芯片，已驗證可發射261納米至300納米波長的紫外光。這是全球首次利用摻雜后的氮化硼作為深紫外發光器件的主體材料，為深紫外光電器件提供了一種全新的材料體系，也為后續半導體型更短波段深紫外發光器件的研制提供了新的方向?！?/p>