遠場模式的UV-C激光投影到屏幕上。

UV-C半導體激光器的截面結構。

脈沖作用下UV-C半導體激光器的發射特性。

根據《應用物理學快報》雜志的一篇報道，日本名古屋大學已經與旭華成公司合作制造了一種能夠發射深紫外光的激光二極管。

Chiaki大學電子未來研究中心

能發射短波紫外光的激光二極管簡稱UV-C，其波長范圍為200～280nm，可用于醫療消毒、皮膚病治療、氣體及DNA分析。

ChiakiSasaoka教授研制的深紫外半導體激光器克服了半導體器件發展中的一些問題。他們使用高質量的氮化鋁作為激光二極管層的襯底。研究人員說，這是必要的，因為低質量的AlN中含有大量缺陷，這將影響激光二極管有源層將電能轉換為光能的效率。

在激光二極管中，“p型”和“n型”層被“量子阱”隔開。當電流通過半導體激光器時，p型層中的正電荷空穴和n型層中的負電荷電子將聚集到中心，最終以光子的形式釋放能量。研究人員設計的量子阱發射深紫外光。他們用Gan鋁制備了p型層、n型層和包層。覆蓋層位于p和n型地層的兩側。通過摻雜將硅雜質添加到n型層下方的包層中，并通過分布偏振摻雜將其他雜質添加到p型層上方的包層中。p層一側的覆蓋層設計為底部最高，逐漸減少至頂部。研究人員認為鋁梯度可以增強帶正電空穴的流動。最后，制備了Mg摻雜Gan鋁的表面接觸層。在實驗中，研究人員發現，只有當脈沖電流達到13.8伏特的低工作電壓時，偏振摻雜p層才能發出迄今為止最短波長的紫外光。

之前，Sasaoka教授團隊正在與旭華成公司聯合開發，實現室溫下連續深紫外激光發射，進而開發UV-C半導體激光產品。