近日，河南仕佳光子科技有限公司中科院半導體所集成光電子學國家重點實驗室的安俊明博士作了題為《PLC光無源器件現狀及展望》的報告，報告中提出信息傳輸對PLC光無源器件需求不斷增加，進而推動PLC技術的發展，其主要來自于四大方面需求。

需求一：骨干網通信壓力

寬帶接入用戶每年按20-30%的增長率增長，其中平均流量增長每用戶每年高達20-30%。據預測，2014年平均寬帶接入帶寬將從目前的2M 增長到20M 以上，業務量流量的增長速度五年達10倍，預計2014年各省出口總帶寬是2008年的10-18倍。

數據顯示，未來5年CTC骨干IP帶寬年增長率處于40%~50%，骨干傳輸網總帶寬將從64Tbps增加到至少120~155Tbps，甚至200Tbps。通信網絡的壓力已經由接入層傳至骨干層，并將掀起骨干網的全面升級換代革命。

隨著骨干網通信壓力的增大，光網絡業務承載和傳送平臺需要廣泛的使用WDM/DWDM。目前，韓國最大的移動運營商SK電訊（SK Telecom）正使用諾基亞西門子的DWDM設備，采用hiT 7300 DWDM平臺，同時傳輸80個信道光波長，單個波長可以承載100G的數據流量，使光纖總容量高達8 Tbps。

在新型寬帶業務持續增長的驅動和N×40Gb/s WDM網絡規模部署的背景下，新型支持更大傳輸容量的N×100Gb/s WDM逐漸成為未來高速帶寬焦點技術。

對于國內來說，2013年是100G商用元年，中國移動從10G直接跳到100G，中國電信和中國聯通從40G升級到100G。從全球范圍看，2013年是大量運營商100G集采的爆發年，Verizon等國外主流運營商都在積極部署100G。

未來五年100G WDM市場增長穩定。2013年1月Dell’Oro的光傳輸市場預測報告顯示，未來五年全球WDM市場將以10%的年復合增長率增長，到2017年將達130億美元。Dell’Oro表示，40G/100G將是未來的增長點；且受益于40G/100G WDM需求的增長，未來五年光網絡市場都將呈現出增長的勢頭。由于運營商對網絡設備容量需求的不斷提升，100G市場需求將顯得尤為強勁。

信息交換量的增加要求功耗降低，骨干網通信的壓力，100G市場強勁的市場需求，對PLC光無源器件需求增加。

需求二：云數據中心的發展

據思科報告預測，2011-2016年間，全球數據中心流量將會增長四倍，全球云流量將會增長六倍。到2016年將有三分之二的數據中心流量來自于云服務的流量。云計算將導致數據中心流量倍增。

相比較傳統數據中心，云計算數據中心的單臺物理主機數據流量可能是傳統的數據中心服務器的4倍、8倍甚至10倍以上。

為了減少網絡的延時，提高數據中心網絡響應速度，云計算數據中心核心網絡采用40G/100G網絡端口。

據分析，數據中心流量中76%流量來自于數據中心內部（包括存儲、數據開發、認證等），17%流量屬于數據中心到用戶，7%流量屬于數據中心到數據中心。

數據中心急需大量高速互聯模塊，采用串行40G方式，成本大約是WDM的6倍，同時功耗也大大高于WDM，而且部分新元器件需要重新開發，這會極大影響到標準的按時發布和市場的推廣，所以目前基于單模光纖的40G/100G采用WDM的波分復用方式實現，4×10G或者4×25G。

需求三：接入網—三網融合PON技術

三網融合是電信網、廣播電視網和互聯網融合發展，實現三網互聯互通，資源共享，為用戶提供話音、數據和廣播電視等多種服務。PON技術產品應用到光纖到戶、三網融合。其中WDM-PON結合了WDM技術和PON拓撲結構的優點，日益成為一種高性能的接入方式。這中間也會廣泛使用PLC分路器產品。

需求四：硅基芯片光互連

微電子領域面臨的挑戰就是RC瓶頸、發熱問題。芯片－芯片銅互連速度為6-8Gbps，銅互連32nm、22nm、15nm、11nm、7nm，當10nm時出現量子效應，20Gbps以上需光互連。比如Intel Si推出了光子芯片計劃，芯片內采用WDM互連，因電互連價格昂貴，電互連逐步向光互連演進成為必然趨勢。

四大需求促進了PLC光無源器件的發展

總而言之，采用光傳輸代替電傳輸、且是多波長光傳輸，相干100G WDM主干網、40G/100G數據中心、光纖到戶接入網、芯片光互連的需求都促進了PLC光無源器件的發展。其中單元芯片將用到波分復用器、PLC光分路器，集成芯片則更多考慮到體積和功耗要求，采用PLC 混合集成、SOI硅光子學、InP 單片集成（PIC）等技術。這些需求都將推動PLC技術的不斷發展和演進。