美國加州大學圣塔巴巴拉分校（UCSB）中村修二教授領導的研究小組開發出了利用GaN結晶無極性面的藍紫色半導體激光器。該研究小組表示，開發成功利用GaN結晶無極性面的藍紫色激光器在全球為首款產品。

　　此前，該研究小組已著手進行了利用無極性面的發光二極管（LED）的開發。“我們開發出了臨界電流密度較低的無極性面半導體激光器。該激光器比目前HD DVD設備和藍光光盤設備中使用的利用c面（極性面）的藍紫色半導體激光器耗電量更低、壽命更長”（中村）。此次試制的無極性面藍紫色半導體激光器在脈沖振蕩時，臨界電流密度為7.5kA/cm2、振蕩波長為405nm。

　　目前市場上的GaN系藍色LED和藍紫色激光器利用的都是GaN結晶的極性面c面。無極性面是指極性面法線方向上的面。與極性面相比，具有發光效率高等優勢。這是因為利用無極性面，能夠減弱造成發光效率下降的壓電電場。

　　目前，開展利用m面和a面等無極性面的LED相關研究的除了以中村為中心的研究小組外，京都大學和日亞化學工業的研究小組、羅姆公司等也在積極進行LED元件的研制。

　　該研究小組預定利用此次的開發成果，于2007年 2月上旬在UCSB進行發光等實際演示。