作為我國最早的工學研究機構(gòu)之一，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研制出的多項技術(shù)不僅填補了我國眾多領(lǐng)域空白，并且還為國民經(jīng)濟建設(shè)和國家安全做出更大貢獻。就在近日，上海微系統(tǒng)所又成功研制出最長激射波長InP基不含銻量子阱激光器。

       2-3微米波段半導體激光器在光譜分析、氣體檢測、醫(yī)學檢查等方面具有重要的應用。InP襯底上不含銻量子阱激光器與GaSb基含銻量子阱激光器相比具有工藝成熟穩(wěn)定、熱導率高、襯底價格低質(zhì)量好易獲得等優(yōu)點。

       中科院上海微系統(tǒng)所信息功能材料國家重點實驗室化合物半導體方向的研究人員通過在InP襯底上采用氣態(tài)源分子束外延方法生長高質(zhì)量的異變緩沖層，并在其上構(gòu)筑不含銻的InAs多量子阱結(jié)構(gòu)，成功研制出激射波長達2.7微米的激光器，這是目前國際上InP基不含銻量子阱激光器所能實現(xiàn)的最長激射波長。該工作已在Applied Physics Letters上發(fā)表，并引起國際上的廣泛關(guān)注，半導體領(lǐng)域知名雜志Semiconductor Today已對此作了專題報道。

       最長激射波長InP基不含銻量子阱激光器的誕生，不僅是InP基不含銻量子阱激光器的重大突破，同時也是我國技術(shù)領(lǐng)域的一大喜事，體現(xiàn)了我國激光技術(shù)的先進性，也提升了該激光器的應用研究價值。