近日，由中科院新疆理化技術研究所潘世烈研究員等科研人員完成的“化合物氟硼酸鋇非線性光學晶體及其制備方法和用途”獲國家發明專利授權(專利號：ZL 201010231415.1)。

　　利用晶體的非線性光學效應，可以制成二次諧波發生器，上、下頻率轉換器，光參量振蕩器等非線性光學器件。激光器產生的激光可通過非線性光學器件進行頻率轉換，從而獲得更多有用波長的激光，使激光器得到更廣泛的應用。

　　本發明公開了一種化合物氟硼酸鋇非線性光學晶體及制備方法和用途，該晶體的化學式為Ba4B11O20F，分子量1007.27，屬正交晶系，空間群Cmc21，晶胞參數為a =18.802(3)Å，b = 10.7143(19) Å，c = 8.6113(14)Å， V=1734.7(5)Å3，其粉末倍頻效應達到KDP(KH2PO4)的10倍，紫外截止邊約為170nm。科研人員采用固相反應法合成化合物及高溫熔液法生長晶體的方法制備氟硼酸鋇非線性光學晶體，該晶體機械硬度較大，易于切割、拋光加工和保存，在作為制備倍頻發生器、上或下頻率轉換器或光參量振蕩器等非線性光學器件中可以得到廣泛應用。