
在微電子工業中,激光技術得到了廣泛的應用,在巨量轉移技術中,也有研究人員試圖借助激光來實現巨量轉移的過程,這就是激光轉移流派。
Coherent(相干)是一家激光器制造商,其公司的產品在平板顯示工業中有廣泛的應用,包括準分子激光退火,柔性基底激光剝離,激光切割等等。
而在MicroLED制造過程中,Coherent也基于他們深厚的激光技術,提出了他們的解決方案。
在如下的視頻中,Coherent展示了他們在MicroLED制造中所涉及到的激光剝離技術(LLO)和激光轉移技術(LIFT)。
▲Coherent的激光技術在MicroLED上的應用
2018年,Coherent在whitepaper中介紹了他們公司可能應用于MicroLED制造中激光技術[35],包括如下:
● 激光剝離(Laser Lift-Off, LLO):
可以將MicroLED器件從藍寶石外延片上剝離下來,轉移到一個載板基板上,供后續巨量轉移
▲LLO過程
● 激光誘導向前轉移技術(Laser Induced Forward Transfer, LIFT):
用于巨量轉移的過程中,將MicroLED轉移到背板基板上
● 準分子激光退火(Excimer Laser Annealing, ELA):
用于LTPS-TFT背板的低溫多晶硅薄膜制造過程
● 激光切割(Laser Cutting):
用于面板的切割
● 激光修復(Laser Repair):
用于MicroLED面板的切割
對于MicroLED的整體的過程,激光所用到的LLO和LIFT可以用如下的圖片來表示:
▲MicroLED制造過程中的LLO和LIFT
對于巨量轉移過程,Coherent采用了248nm的激光來轉移GaN MicroLED,激光束通過一個Mask和投影鏡頭,可以實現1000個die的同時轉移。
另外一家美國的公司QMAT也提出激光轉移的技術方案[36],他們所采用的巨量轉移設備稱為Zero-ppm BAR Mass-Transfer Tool,
所謂Zero-ppm即為零缺陷的轉移,而BAR為Beam-Addressed Release的縮寫,即激光束尋址釋放,可以實現精確的選擇性轉移。
如下圖所示,在巨量轉移前,源基板上的MicroLED器件需要經過測試,并將測試結果作為KGD File保存在計算機中(KGD即為Known Good Die)。
在后續轉移的過程中,通過讀取KGD文件中缺陷的位置信息,可以通過激光精確地進行選擇性轉移,從而使有缺陷的器件不會被轉移到目標基板上。
在QMAT的文章中可以看到其技術實現的一些細節[37],在他們的方案中,關鍵點在于:
采用薄膜轉移的方式,可以得到高質量的GaN薄膜,這樣可以提升Micro LED器件的效率。
▲薄膜轉移
減少了2倍MOCVD的時間,使得成本大大降低
可以在巨量轉移前進行電學測試篩選,得到KGD的信息
▲集成功能測試層
EPI基底就是轉移基底,采用激光可以實現選擇性轉移
位于基底和EPI GaN之間的功能層,在LLO過程中作為釋放層,可以避免GaN的損傷
在激光轉移流派中,還有一家美國公司Uniqarta,他們提出了一種被稱為LEAP的技術,即Laser-Enabled Advanced Placement,
這種技術與QMAT的方案的轉移過程有相似之處,即都能夠實現選擇性轉移。
如下圖所示,在Uniqarta的設備中,首先將激光束分束,然后在X-Y平面上掃描,達到選擇性轉移的目的[38-40]。
▲LEAP轉移
不過在轉移的時候,Uniqarta采用了一個釋放層,稱為Blistering轉移,而不是QMAT的ablative轉移。
釋放層吸收激光的能量,而將其上的MicroLED彈射出去,轉移到目標基板上。
采用這個技術,MicroLED背面不會吸收激光的能量,從而減少激光對其的損傷。
▲Blistering示意
流體自組裝派是利用流體的驅動,通過磁力、機械力或毛細作用力等方式,使MicroLED器件在流體中自動裝配到設計的指定區域。
根據目前的調查,不少廠商都有在流體自組裝巨量轉移的報道,包括Self Array,Elux,Nth Degree, 三星,夏普等等,在這里選擇一些比較典型的廠商介紹一下這個技術流派。
MicroLED器件上沉積一層熱解石墨,
然后被放置在磁性震動平臺上
在平臺上根據設計的磁性陣列快速完成定位,
然后就可以將這些器件巨量轉移到驅動基板上。
SelfArray的磁性自組裝原理如下面兩張圖片所示。
但關于器件本身的制備即轉移的細節,還有待調查更多的信息。
▲磁性載臺流體自組裝原理
▲SelfArray自組裝顯微觀察
eLux也提出流體自組裝巨量轉移技術方案。
eLue于2016年在美國成立,eLux與日本夏普的淵源很深,CEO Jong-Jan Lee與CTO Paul Schuele均出自夏普美國實驗室(Sharp Laboratories of America)。
2017年富士康通過其子公司CyberNet Venture Capital向其注資1000萬美元,2018年又與群創光電,AOT和夏普一起,正式收購eLux的全部股權。
在eLux發表的專利文件中,他們給出了其流體自組裝技術的一些細節[41]。
在NEPCON Japan 2019的報告中他們進一步解釋了這個技術[42]。
▲eLux轉移示意
可以看出,在這個技術方案中,eLux對MicroLED的形狀有特殊的設計,這樣可以保證在自組裝的過程中正面朝上。
首先目標基板放置在液體中,
然后將大量的MicroLED器件也放入并置于目標基板上方,
然后通過振動,通過流體和重力的共同作用,使MicroLED器件定位到指定的位置。
在剛剛過去的DIC2021論壇上,eLux還介紹了他們的流體自組裝技術,并展示了自組裝過程的視頻,如下圖所示。
▲eLux流體自組裝顯微觀察
據eLux在DIC2021論壇上介紹,采用這種方案有如下一些特點:
分離的MicroLED器件在流體中完全隨機自組裝,可以消除外延生長時,器件性能面內不均造成的影響。
可以先選擇合格的MicroLED器件進行轉移,因此可以避免將不良器件轉移到驅動基板上
剩余的MicroLED器件可以重復利用
轉移的速度快,成本低
關于流體自組裝轉移,還有如下一些方案:
包括在轉移過程中利用機械力進行組裝,焊接組裝,疏水性組裝,電泳組裝等等,這里就不詳細進行介紹了[42]。
采用流體自組裝雖然具有一些優點,但目前看起來還有一些難點需要克服:
比如難以進行三色器件的轉移,自組裝的效率等等。
因此還需要對這項技術進行更加深入的研究。
韓國的KIMM開發了卷對卷打印的巨量轉移技術,
其基本過程如下兩張圖所示:
首先通過滾輪將源基板上的MicroLED器件轉移到滾輪上,
然后再將滾輪上的器件轉移到目標基板上。

▲器件轉移到目標基板上
要通過滾輪對MicroLED進行拾取,在滾輪上面也需要一層PDMS材料作為印章,
但如何實現選擇性拾取,或源基板上微器件的間隔拾取,仍然是需要討論的地方。
要實現MicroLED器件的量產,巨量轉移技術必須要進一步取得突破,實現快速、高效、低成本的轉移。
目前業內在巨量轉移方面投入了大量的精力,在各種不同技術流派上均取得一些成果,但還遠遠不能說有決定性的突破,也很難預測哪一種技術方案會首先成為量產方案。
但就筆者接觸到的信息,工業界最熱衷開發的還是彈性印章轉移和激光轉移,因為蘋果收購的LuxVue采用的靜電轉移,因此也受到一定的關注。
就讓我們繼續保持對這個技術的關注。
以上,全篇內容完。
在此回看上篇/中篇
轉載請注明出處。