近日，中國電子科技集團第二研究所（以下簡稱“中電科二所”）傳來好消息，在SiC激光剝離設備研制方面，取得了突破性進展。

該科研團隊已掌握激光剝離技術原理與工藝基礎，并利用自主搭建的實驗測試平臺，結合特殊光學設計、光束整形、多因素耦合剝離等核心技術，實現了小尺寸SiC（碳化硅）單晶片的激光剝離。

中電科二所以解決SiC襯底加工效率這一產業突出難題為目標，將SiC激光剝離設備列為重點研發裝備，借此實現激光剝離設備國產化，力爭使其具備第三代半導體核心裝備研發、產業化和整線裝備解決方案的能力。據報道，該研發項目已通過專家論證，正式立項啟動。

中國電科二所于1962年成立于北京，1965年遷入太原。

公開消息顯示，多年來，該所立足自主裝備與產業融合，已形成了高端制造裝備和工藝技術集成的能力。目前，中國電科二所的科研方向以智能制造、微電子、第三代半導體和新能源等為主。近20年來，其自主研發的碳化硅材料、微組裝設備等均達到國內領先水平；實現了光伏新能源、微電子共燒陶瓷器件、碳化硅襯底材料的產業化。